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今天跟大家聊一聊：ArF光刻胶通过国家验收，离自主化的7nm芯片又近了一步！

在芯片领域技术的缺失，也让国内的企业在获取芯片的过程中显得异常的“被动”，在相关限制之下，国内芯片行业的发展也随之遇到了困境，“大而不强”是我们最真实的处境，背靠着全球最大的芯片市场，但目前自主化比率还不足10%，而这就是此前过度依赖进口导致的。

华为的处境是国内半导体的真实写照，任正非曾经说过：“我们设计的芯片，国内制造不出来”，这是无比心酸的一句话，工业水平没有整体提高，只针对部分技术进行深入研发，才造成这样的结果，因此国家目前开始高度重视芯片全产业链技术的研发，促进了各大芯片企业之间的合作。

芯片自主化进程

面对相关限制的不断升级，华为的经历让国内的企业，深刻意识到了自主创新的重要性，如果不能实现芯片的自主化，就算国内的科技产业发展的再好，国内的智能设备技术再先进，只要芯片的进口途径被卡住，那么我们一切自以为先进的技术将回归原点，因此未来科技发展的技术就在于“芯片”上。

为了尽快地实现这一个目标，在国家给出大量资金扶持的同时，也同时制定了硬性目标，那就是要在2025年之前实现70%芯片的自给率，这对于我们来说是一个非常严峻的考验，好在目前国内的芯片企业都在努力朝着这一个方向努力着。

目前在核心材料和设备上均实现了技术突破，作为芯片制造最为核心的光刻机，目前上海微电子已经完成了对于第二代28nm深紫外光刻机的攻克，有望在年底实现正式交付使用，虽然只是28nm的水准，但如果配合上中芯国际的工艺，也能够实现对7纳米芯片的制造。

如果能够实现7nm及以上芯片的制造，就足以满足国内超过95%以上的需求了，虽然用于智能设备上还差点“火候”，但可以完美实现对于航空飞机、超级计算机、通讯设备等等领域的适配，这才是最为重要的，手机可以不用那么先进，但这些高工领域如果能够使用上完全自主化的芯片，可持续发展性就完全不一样了。

光刻胶取得突破

除了光刻机之外，在制造芯片的过程中，光刻胶也是缺一不可的半导体材料，目前国内也有很多家半导体企业在从事技术研发，其中南大光电所取得的成就是最高的，目前南大光电公司也已经透露了相关成果，由其研发生产的ArF光刻胶，已经通过了国家的验收，证实了可被用于7nm芯片的研发了。

目前掌握最尖端的光刻胶生产工艺的为日韩企业，之前国内生产芯片所使用到的光刻胶高度依赖于进口，如今南大光电完成了技术的自主化，可以有效的解决7nm及以上的需求，可以有效的增加芯片的国产化比率，而目前我国最高的芯片工艺也只能达到7nm水准，或许有办法完全摆脱进口光刻胶的命运。

中芯国际作为国内最先进的代工厂，在有了上海微电子的光刻机以及南大光电的光刻胶之后，还真的有希望打造出一条完全自主化的成熟工艺生产线，看来此前国内专家预测的明年有望实现14nm芯片生产线的完全自主化，并非是虚假的。

中芯国际的7nm工艺还能继续吗？

有很多行业专家提出，在国产光刻胶生产出来以后，中芯国际也没有了后顾之忧，那是否真的如此呢？我们可以向来分析一下相关限制的范畴，虽然目前中芯国际已经恢复了成熟工艺的授权，而这一个成熟工艺大概率是指14纳米以上的工艺，目前中芯国际所生产的基本上都是28nm芯片，因此还看不出什么。

但中芯国际不可能就此放弃对于先进制程工艺的研发，届时14nm以及7nm的工艺，依然会受到相关的限制，而其中自然就包括ArF光刻胶，一旦有一个环节被“卡脖子”了，那么所有的努力都白费了，目前基本上可以确定的是，上海微电子的28nm光刻机即将组装下线，因此此次光刻胶的突破可谓是一个好消息。

虽然距离完全自主化的7纳米生产线还有点距离，但在国内各大芯片企业的努力之下，很多技术也在实现不断的突破，相信很快就能够实现芯片自给自足的愿景，对此你们有什么看法呢？

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