9月18日消息，根据行业人士@手机晶片达人爆料，英伟达已经跟三星就3nmGAA工艺制程进行了接洽，如果一切顺利则预定在2025年进行量产。

Hardwaretimes此前也曾有过报道，下一代英伟达旗舰显卡RTX5090将使用3nm工艺，预计将在明年年底推出。

英伟达RTX40系显卡代号为AdaLovelace，而下一代RTX显卡的代号为Blackwell，其晶体管数量将超过150亿，密度接近3亿/mm²，核心时钟将超过3Ghz，总线密度将达到512bits。

根据早前外媒Club386泄露的消息，基于GB102的RTX5090包含144组SM单元，也就是18432个CUDA（假设每组SM还是128个CUDA），比RTX4090多出12.5%，96MB二级缓存，匹配GDDR7显存（384bit位宽），支持PCIe5.0x16。

IT之家曾报道，微星此前在台北Computex电脑展上也一并展示了下一代英伟达RTX旗舰显卡的散热设计。

由图可见，微星使用了动态双金属鳍片(DynamicBimetallicFin)，六条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片，进一步增强散热，而显存区域也有对应的铜片，这说明不出意外的话下一代显卡将针对散热进行着重设计。

结合当下所曝光的信息，结合如此散热条件，RTX5090的原始功耗和发热应该会给人留下深刻的印象。

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